Silicon Power SP004GBLTU133V02 - отзывы
Сервис собрал 3 положительных и отрицательных отзывов из более 6 источников.
Вы можете прочитать о всех преимуществах и недостатках модуля памяти Silicon Power SP004GBLTU133V02. Сравнить цены в разных интернет магазинах, а так же ознакомиться характеристиками модуля памяти Silicon Power SP004GBLTU133V02. В своих отзывах пользователи описали обо всех плюсах и минусах модуля памяти Silicon Power SP004GBLTU133V02.
Средняя оценка составляет 5 баллов. Так же, мы предлагаем альтернативные и рейтинговые товары аналоги оперативной памяти.
Вы так же можете оставить полноценный обзор о модуле памяти Silicon Power SP004GBLTU133V02.
Отзывы о модуле памяти Silicon Power SP004GBLTU133V02
Комментарий:
Приемлемая цена при вполне приличном качестве исполнения.
Недостатки:
Не обнаружил.
Достоинства:
Отлично разгоняется, мало греется (даже при повышенном напряжении питания и при разгоне).
Комментарий:
Хочу поделиться личными результатами разгона двух таких планок.Сразу уточню, что напряжение вручную не поднимал. Должен заметить, моя материнская плата подает плавающее напряжение на модули памяти в позиции AVTO 1,48 - 1,58 V.В легкую держит частоту 1600 на стандартных таймингах 9-9-9-24-Т1.А вот на частоте 1866 при таймингах CL9 или 10 загружать систему отказывается, даже с поднятием напряжения. Зато берет эту частоту на таймингах 11-11-11-30-Т2 и уверенно держит.ВСЕ тесты такая система прошла стабильно. На производительность памяти такой разгон не повлиял (ее Windows 7 в моей системе определила как 7,1). Зато производительность CPU и GPU чуть поднялась на 0,1. Во время работы, на ощупь чипы чуть теплые, что при стандартых настройках, что в разгоне.Вот так вот, и это самые дешевые модули по 4 ГБ DDR3, которые я смог купить. Не зря говориться "Разгон не роскошь - а экономия средств".
Достоинства:
Свободно разгоняется без поднятия напряжения.
Комментарий:
Брал 4 штуки брака не было! Гарантия производителя 3 года если не ошибаюсь...
Недостатки:
их нету
Достоинства:
Без проблем взяла 1600 на CL9 и напряжении 1.5v
Характеристики модуля памяти Silicon Power SP004GBLTU133V02
Общие характеристики | |
---|---|
Тип памяти | DDR3 |
Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
Тактовая частота | 1333 МГц |
Пропускная способность | 10600 Мб/с |
Объем | 1 модуль 4 Гб |
Поддержка ECC | нет |
Буферизованная (Registered) | нет |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Тайминги | |
CAS Latency (CL) | 9 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 9 |
Row Precharge Delay (tRP) | 9 |
Дополнительно | |
Количество чипов каждого модуля | 16, двусторонняя упаковка |
Напряжение питания | 1.5 В |
Общий ретинг модуля памяти Silicon Power SP004GBLTU133V02
Общий рейтинг модуля памяти Silicon Power SP004GBLTU133V02 составлен из 2029 оперативной памяти, с помощью специального алгоритма исходя из 6483 реальных отзывов покупателей, а так же учитывая популярность модели.
Другие товары с похожим рейтингом: